【導(dǎo)讀】我們經(jīng)常要在電池供電的設(shè)備中使用一個定時自動關(guān)斷電路，以延長電池的使用壽命。以前講述此功能的設(shè)計實例都要用很多元器件。圖中的電路是一個沒有靜態(tài)電流的、簡單的自動關(guān)斷附加電路。
當按下按鍵開關(guān)時，C1通過低阻值電阻R2快速地充電到二極管D1的齊納電壓，而P溝道MOSFET Q1立即導(dǎo)通。當松開按鍵開關(guān)時，C1通過大阻值電阻R1緩慢地放電，時間常數(shù)為R1C1秒。
圖1：使用一只P溝道MOSFET的簡單自動關(guān)斷電路
在此期間， C 1失去了其初始電壓的63%—在延遲后從9V來到3V。Vishay SiliconixSi4435 的導(dǎo)通電阻與柵源電壓關(guān)系。一旦柵源電壓大于約3V，器件的導(dǎo)通電阻保持在小于0.1Ω，因此對于高達1A的負載電流，獲得的壓降小于0.1V。
圖2：參考參數(shù)
9.1V的齊納二極管D1使關(guān)斷時間延遲與電池電壓無關(guān)，確保了柵源電壓不超過Q1的20V標稱最大電壓。因此，可以將此電路用于各種電池電壓，唯一限制選擇的因素是晶體管Q1的最大漏源電壓。對于3.6V至9V的電池，D1和R1沒有用處(去掉D1并短路R2)，必須采用經(jīng)典方程T =-R1C1loge(3/VBAT)來計算時間延遲，如表所示。當電池電壓低至1.5V時，就要換用低飽和電壓的雙極晶體管，并修改電路結(jié)構(gòu)。
由于沒有快速關(guān)斷的反饋，當C1緩慢放電到低于3V時，Q1要經(jīng)過一個導(dǎo)通電阻逐漸升高的周期，這會臨時性地增加在關(guān)斷期間的功耗和發(fā)熱。一定考慮到這個效應(yīng)，Q1要適應(yīng)于負載電流，并采用恰當?shù)纳崞?nbsp;
