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SiA850DJ :Vishay集成190V功率二極管的MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-01-09

產(chǎn)品特性:Vishay帶有同體封裝的 190V 功率二極管的 MOSFET

  • MOSFET及功率二極管整合到同一封裝
  • 小體積,低成本
  • 在1.8V 時(shí)便可達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值
  • 無(wú)需使用電平位移電路
  • 導(dǎo)通電阻:介于1.8V VGS時(shí)17?~4.5V VGS時(shí)3.8?
  • 無(wú)鉛,無(wú)鹵素,并且符合 RoHS規(guī)范

應(yīng)用范圍:

  • 面向高壓壓電電動(dòng)機(jī)的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器
  • 手機(jī)、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ,該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時(shí)具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。

SiA850DJ 的典型應(yīng)用將包括面向高壓壓電電動(dòng)機(jī)的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器以及手機(jī)、PDA、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的有機(jī) LED(OLED)背光。

將 MOSFET 及功率二極管整合到同一封裝可幫助設(shè)計(jì)人員節(jié)約至少三分之一的 PCB 面積,同時(shí)由于無(wú)需使用外部二極管,因此可降低解決方案成本。較大器件在 2.5V 時(shí)達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值,而 SiA850DJ 在 1.8V 時(shí)便可達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值,由于無(wú)需使用電平位移電路,這進(jìn)一步節(jié)約了板面空間。該器件的導(dǎo)通電阻值范圍介于 1.8V VGS 時(shí) 17?~4.5V VGS時(shí) 3.8?,0.5A 時(shí)二極管正向電壓為 1.2 V。

SiA850DJ 100% 無(wú)鉛(Pb),無(wú)鹵素,并且符合 RoHS規(guī)范,因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。

目前,新型 SiA850DJ 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10~12 周。
 

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