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集成DC/DC驅(qū)動器及MOSFET VR功率級的DrMOS器件

發(fā)布時間:2013-03-28 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 責(zé)任編輯:hedyxing

【導(dǎo)讀】英飛凌近日宣布推出DrBlade,全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件,它集成了DC/DC 驅(qū)動器及MOSFET VR功率級,適用于計算及電信應(yīng)用,包括刀片服務(wù)器和機架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。

集成DC/DC驅(qū)動器及MOSFET VR功率級的DrMOS器件
集成DC/DC驅(qū)動器及MOSFET VR功率級的DrMOS器件

DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動器技術(shù)及OptiMOS MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導(dǎo)通阻抗及針對應(yīng)用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù),能達到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率,適用于計算及電信應(yīng)用,包括刀片服務(wù)器和機架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。

全新Blade封裝技術(shù)

英飛凌創(chuàng)新的Blade封裝技術(shù),采用芯片嵌入概念,使用電鍍制程取代標準的封裝制程,例如邦線、夾焊以及常見的模制技術(shù)。此外,芯片也以疊層薄片進行保護。其結(jié)果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感,同時還降低熱阻。

英飛凌低壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品資深總監(jiān)Richard Kuncic表示:“英飛凌是業(yè)界第一家推出采用Blade技術(shù)的集成了驅(qū)動器及MOSFET半橋的半導(dǎo)體公司。DrBlade的推出可提升服務(wù)器應(yīng)用在全負載范圍的效率,再度證明我們在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

節(jié)省空間,提高效率

DrBlade封裝面積為5x5mm,高度僅為0.5mm,可滿足計算系統(tǒng)對于更高功率密度及節(jié)省空間的需求。DrBlade擁有優(yōu)化的引腳規(guī)劃,可簡化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術(shù),再結(jié)合英飛凌的OptiMOS MOSFET,這使DrBlade成為低壓市場的最佳穩(wěn)壓解決方案。

上市時間與定價

DrBlade樣品已開始提供,并于2013年第二季度量產(chǎn)。
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