-
第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進，本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
-
IGBT并聯(lián)設(shè)計指南，拿下！
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。
2025-01-24
-
第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
-
IGBT的并聯(lián)知識點梳理：靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計工程師需要了解這些，才能設(shè)計出可靠的系統(tǒng)。
2025-01-16
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十二）——功率半導體器件的PCB設(shè)計
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
-
IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動。
2025-01-08
-
柵極驅(qū)動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機驅(qū)動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
-
安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應(yīng)商獎及年度最佳功率半導體獎
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應(yīng)商獎，彰顯其在車用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。
2024-12-06
-
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
- 工業(yè)自動化中的 Raspberry Pi：簡化經(jīng)濟實惠的邊緣計算
- 基于 MHz 開關(guān)頻率的器件助力實現(xiàn) DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 EMI 濾波器的小型化
- Type-C端口水汽檢測(LPD)技術(shù)介紹
- ST 新款微型單片降壓轉(zhuǎn)換器，用于智能電表、家電和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供低電壓電源
- 芝識課堂——運算放大器（一），電路設(shè)計圖中給力的“三角形”
- SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
- 高精度FOC算法加持，電動兩輪車控制器迎來高性能芯片方案
- 2025年及未來半導體行業(yè)的八大趨勢
- 人形機器人、人工智能大模型爆了 來CITE 2025一探究竟
- 通過自舉擴展運算放大器工作范圍
- 代碼開源！國產(chǎn)MCU平臺開發(fā)的EtherCAT工業(yè)PLC伺服驅(qū)動方案
- 安防監(jiān)控方案在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)場景中的應(yīng)用，附實戰(zhàn)方案
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
