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Vishay高精度薄膜SMD環(huán)繞片式電阻陣列助力航空應用
近日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新系列適用于高溫鉆井和航空應用的高精度薄膜SMD環(huán)繞片式電阻陣列---PRAHT。新的PRAHT四電阻網(wǎng)絡的工作溫度為-55℃～+215℃，最高存儲溫度為+230℃，是業(yè)內(nèi)首個采用薄膜技術制造的電阻陣列。
2012-09-03
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Vishay小型封裝LED發(fā)光強度實現(xiàn)超群亮度
Vishay光電子產(chǎn)品部發(fā)布新VLMx1500-GS08系列采用小型表面貼裝0402 ChipLED封裝的大紅、淺橙、黃、嫩綠、藍色和白色的超亮LED。VLMx1500-GS08系列器件的尺寸為1.0mm x 0.5mm，高0.35mm，180mcd的發(fā)光強度實現(xiàn)了超群亮度。
2012-08-22
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Vishay具有5mm檢測范圍的新反射光學傳感器
Vishay Intertechnology 宣布推出采用微型表面安裝封裝的帶晶體管輸出的新反射光學傳感器。TCNT2000 的尺寸只有 3.4mm x 2.7mmx 1.5mm，能提供 0.2mm 到 5mm 的檢測范圍，適用于消費類、工業(yè)和計算設備。
2012-08-17
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Vishay高電流、高溫環(huán)形電感器可減少EMI的環(huán)形設計
Vishay近日推出的 TJ3-HT 和 TJ5-HT 電感器具有高達+200°C 的高額定工作溫度和可減少EMI 的環(huán)形設計，特別適合汽車、工業(yè)和深井鉆探產(chǎn)品的開關電源、EMI/ RFI 過濾和輸出扼流圈。
2012-08-16
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最新“e絡盟專題”：針對醫(yī)療應用的方案資源庫
首個融合電子商務與在線社區(qū)的電子元件分銷商e絡盟近日推出了最新一期“e絡盟專題”，專題提供針對醫(yī)療應用的設計參考資料、元器件及解決方案，其中不乏行業(yè)領先制造商Molex、德州儀器、Vishay等最新創(chuàng)新產(chǎn)品。詳情請看本文報道。
2012-08-10
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Vishay 4款多層陶瓷片式天線工作在868MHz和915MHz頻率
日前Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件，這些器件可接收和發(fā)送868MHz(VJ5301M868MXBSR和VJ5601M868MXBSR)和915MHz(VJ5301M915MXBSR和VJ5601M915MXBSR)的數(shù)字信號，擴充了其陶瓷片式天線產(chǎn)品線。
2012-08-09
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Vishay高度集成解決方案：microBUCK?同步降壓調(diào)節(jié)器
microBUCK? 集成同步降壓調(diào)節(jié)器系列利用 Vishay 的分立 MOSFET 設計、IC 專業(yè)技術和封裝功能的獨特組合，為客戶提供經(jīng)濟的高性能集成式解決方案。 最新系列 4A SiC413 和10A SiC417 提供 4.75V 到 26V（對于SiC413）和 3V 到 28V（對于 SiC417）的寬輸入電壓范圍，最小輸出電壓分別低至 0.6V 和 0.5V。
2012-07-18
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Vishay新系列3相圓柱形電容器脈沖電流高達21.3kA
Vishay推出用于電力電子產(chǎn)品的新系列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標準電壓等級，以及豐富的容值和封裝選項。日前發(fā)布的EMKP電容器有160mm～265mm共4種高度，64mm～136mm共5種直徑。器件的電流等級取決于套管類型，從3 x 56A至3 x 104A，脈沖電流高達 21.3kA，自感小于100nH，串聯(lián)電阻低至0.6m?，容值為4.0μF～600μF，容值容差為±5%。
2012-07-04
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Vishay發(fā)布用于工業(yè)傳動和逆變器的3相圓柱形電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電力電子產(chǎn)品的新系列3相圓柱形電容器---EMKP。電容器可處理高電流，具有400VAC～1650VAC的9種標準電壓等級，以及豐富的容值和封裝選項。
2012-07-02
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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時導通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻，4.5V時導通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
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SiA436DJ:Vishay新MOSFET再度刷新導通電阻的最低記錄
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導通電阻。
2012-06-28
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Vishay用于高溫作業(yè)的N通道MOSFET
Vishay已發(fā)布通過JAN認證的60V2N6660JANTX/JANTXV和90V2N6661JANTX/JANTXV 軍用級 N 通道功率 MOSFET。提供低導通電阻和快速切換時間，器件被封裝在一個密封的TO-205AD 中，可以承受軍事和航空航天領域經(jīng)受的高溫。
2012-06-27
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