-
SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時(shí)具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進(jìn)行了完美結(jié)合。
2008-12-15
-
SiP4613A/B ：Vishay新型高端負(fù)載開關(guān)器件
日前，Vishay推出一款新型有保護(hù)的高端負(fù)載開關(guān)-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世，Vishay進(jìn)一步擴(kuò)充了其電流限制保護(hù)負(fù)載開關(guān)系列。該器件可在 2.4V～5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行，并可處理 1A 的持續(xù)輸出電流。
2008-12-11
-
EKX系列：Vishay最新高性能鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新系列徑向鋁電容器--- EKX系列器件，這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，且具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。
2008-12-08
-
Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
-
VSMF4720：Vishay新型SMD PLCC2封裝高功率紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出采用 PLCC2 封裝的新型 870nm SMD 紅外發(fā)射器，拓寬其光電子產(chǎn)品系列。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓及最高的輻射強(qiáng)度。
2008-11-25
-
VBUS053AZ-HAF：Vishay新型USB-OTG總線端口保護(hù)陣列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布推出新型超薄 ESD 保護(hù)陣列，該器件具有低電容和漏電流，可保護(hù) USB-OTG 端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)損壞。新器件在工作電壓為 5.5V 時(shí)提供三線 USB ESD 保護(hù)，在工作電壓為 12V 時(shí)提供單線 VBUS 保護(hù)。
2008-11-20
-
SiR440DP/SiR866DP/SiR890DP：Vishay新型第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）推出一款新型 20V n 通道器件，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET功率MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。
2008-11-20
-
ECL系列：Vishay最新高電容值高紋波電流SMD鋁電容器
日前，Vishay宣布推出新系列表面貼裝鋁電容器，這些器件可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行，具有低阻抗值以及高電容值及紋波電流。新型 ECL系列極化鋁電解電容器可在高密度 PCB 上實(shí)現(xiàn)表面貼裝，這些器件具有非故態(tài)、自修復(fù)的電解質(zhì)。為實(shí)現(xiàn)高溫運(yùn)行，其耐熱墊與模塑底板提供了更高的穩(wěn)定性與保護(hù)。
2008-11-05
-
SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
-
電子元件：并購(gòu)整合有利于低成本規(guī)模擴(kuò)張
從近期行業(yè)最近動(dòng)態(tài)來(lái)看，并購(gòu)整合仍是業(yè)界的常態(tài)，較典型的有元件市場(chǎng)TDK與EPCOS二大巨頭合并、Vishay收購(gòu)Kemet電容器生產(chǎn)線。
2008-10-21
-
TSOP2X/4X/58X/59X系列：Vishay 5V紅外接收器升級(jí)產(chǎn)品
Vishay目前宣布，采用新一代集成電路升級(jí)5V紅外接收器的性能，可將器件敏感度提高15%，并增強(qiáng)脈寬精度。
2008-10-01
-
MKP 339 X2/338 2 X2/336 2 X2：Vishay新型X2 EMI抑制薄膜電容器
Vishay目前宣布，推出三款最大電源電壓可升至310 VAC的新型X2 電磁干擾（EMI）抑制薄膜電容器，該電容器具有較寬的引腳腳距和電容值范圍。
2008-09-26
- 音頻放大器的 LLC 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
- 服務(wù)器電源設(shè)計(jì)中的五大趨勢(shì)
- 電子技術(shù)如何助力高鐵節(jié)能？
- 利用創(chuàng)新FPGA技術(shù)：實(shí)現(xiàn)USB解決方案的低功耗、模塊化與小尺寸
- 加速度傳感器不好選型？看這6個(gè)重要參數(shù)！
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
- IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南，拿下！
- 解鎖AI設(shè)計(jì)潛能，ASO.ai如何革新模擬IC設(shè)計(jì)
- 汽車拋負(fù)載Load Dump
- 50%的年長(zhǎng)者可能會(huì)聽障？！救贖的辦法在這里
- ADI 多協(xié)議工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)
- 攻略：7種傾斜傳感器的設(shè)計(jì)選擇
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
