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第1講：三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史
三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史。
2024-08-01
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如何在下一代 MCU 應(yīng)用中實現(xiàn)投影顯示
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當(dāng)控制信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當(dāng)使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開關(guān)閾值的能力。
2023-12-25
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具有受控開關(guān)閾值的晶閘管模擬
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導(dǎo)體器件。它們是一種帶有狀態(tài)存儲器的托管按鍵，當(dāng)控制信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當(dāng)使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關(guān)斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調(diào)整開關(guān)閾值的能力。
2023-12-22
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超小尺寸，支持 750 V浪涌峰壓的SCR，是智能斷路器開發(fā)首選
X0115ML是一款由 ST設(shè)計的緊湊型可控硅整流器 (SCR)，用于接地故障斷路器 (GFCI)和電弧故障 斷路器 (AFCI)。它具有 750V的斷態(tài)浪涌 峰值電壓 ，并采用 SOT23-3L微型 封裝 (2.75mmx3.10mm)，可能是目前市場上最小的晶閘管 。使用 X0115ML可以大大節(jié)省電路板空間 ，并且讓工業(yè)應(yīng)用具有600V的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 。此外 ，該產(chǎn)品的爬電距離為1.1mm，滿足了UL 840規(guī)范 120VAC無涂層絕緣的要求 。
2023-11-26
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晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算
功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。
2023-08-03
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晶閘管是怎么調(diào)節(jié)燈泡亮度的？
那有什么辦法可以控制這個燈的亮度嗎？當(dāng)然有了，那就是晶閘管，它是很重要的，交流控制器件，比如調(diào)節(jié)交流電的燈光亮度，調(diào)節(jié)電水壺水溫，還有風(fēng)扇無極調(diào)速，都可以用晶閘管實現(xiàn)。
2023-06-23
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
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可控硅工作解析
可控硅又叫晶閘管，和其它半導(dǎo)體器件一樣，具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點?？煽毓枳鳛榉浅３墒斓陌雽?dǎo)體器件，從弱電到強(qiáng)調(diào)，消費電子到工業(yè)等都得到廣泛應(yīng)用，可以作為整流、無觸點電路開關(guān)以及逆變應(yīng)用等，本章重點對于其結(jié)構(gòu)以及等效電路展開分析，有助于讀者加深對于可控硅產(chǎn)品的了解與認(rèn)知。
2023-04-25
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針對高壓應(yīng)用優(yōu)化寬帶隙半導(dǎo)體器件
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術(shù)以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導(dǎo)體器件就可以實現(xiàn)高效率。為了優(yōu)化可控制造技術(shù)，可以使用特定的導(dǎo)通電阻來控制系統(tǒng)中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET，導(dǎo)通電阻仍然是優(yōu)化和摻雜其單元設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù)。電導(dǎo)率的主要行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)是材料技術(shù)中的特定導(dǎo)通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。
2023-04-13
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簡述SiC MOSFET短路保護(hù)時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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IGBT和MOSFET該用誰？你選對了嗎？
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。隨著新能源汽車、智能家電、5G、軌道交通等行業(yè)的興起，MOSFET和IGBT也迎來了發(fā)展的春天。
2022-01-26
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大功率二極管晶閘管知識連載——熱特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2022-01-26
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