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高功率密度設計理念&太陽能逆變器的解決方案

文件來源:英飛凌科技股份公司
文件類型:pdf
更新時間:2011-08-25
文件大小:9384K

【本資料來自第七/八屆新型節(jié)能設計技術研討會】
演講嘉賓:英飛凌 工業(yè)功率器件部高級應用工程師 趙振波&品佳電子有限公司 FAE 楊龍
內容介紹:該演講內容主要側重于如何應用IGBT模塊實現(xiàn)高功率密度的設計要求。首先,IGBT器件處于安全工作區(qū)無疑是選型和應用的基本要求,也是高功率密度設計的基礎。
本文鏈接:http://m.bjpackway.cn/opto-dl/677
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